Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP3415PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 2600pF. Kosten): 660pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP350PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 87 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4500pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3400pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 91A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

Herstellerkennzeichnung: IRFP360PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 23A. Leistung: 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-247AC HV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V

C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 51A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP3710PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Gewicht: 5.8g. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7370pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 430W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.049 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5860pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP4468PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 52 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 19860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 520W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 2600pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 540 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2200pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 580us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP450LCPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP450PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 92 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 10470pF. Kosten): 977pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 171A. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 517W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4200pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. C(in): 3100pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 152pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 437ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 62A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 278W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 3940pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3600pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: schnelles Schalten, extrem niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP460LCPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3600pF

Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP460PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 20A. Leistung: 250W. Gehäuse: TOP-3 (TO-247). Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V