Transistoren

C(in): 5600pF. Kosten): 1310pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 310W. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Pd (Verlustleistung, max): 131W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.51 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 100V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFP150. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3450pF. Kosten): 513pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 277W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9240. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-247AC. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP240PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 20A. Leistung: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V

C(in): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 186 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRFP250NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2159pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 30A. Leistung: 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP250PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP254PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 74 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 268 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4057pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 5400pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: schnelles Umschalten, dynamisches dv/dt. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 13000pF. Kosten): 2100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 470W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP2907PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 13000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 470W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP2907ZPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 97 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 310W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.58g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 124A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Id(imp): 840A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS