Überspannungsschutzdioden

Durchbruchspannung: 220V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 185V. Gehäuse: DO-201

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 77.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 91V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Durchbruchspannung: 23V. Leistung: 5000W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20V. Gehäuse: P-600

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 400A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (Verlustleistung, max): 5000W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: P-600. Gehäuse (laut Datenblatt): P600 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10000A. Kapazität: 1.5pF. RoHS: ja. Hinweis: max. Hinweis: Zündspannung 600V. Hinweis: min. Konditionierungseinheit: 350

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C12G, BZG03C12TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 12V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C150G, BZG03C150TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 150V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C200G, BZG03C200TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 200V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C15G, BZG03C15TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 10V. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 10V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 12V

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Durchbruchspannung: 13V. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 (4.57x3.81mm). Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 13V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Zener-Diodes with Surge Current Specification. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 130V. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Zenerspannung: 130V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 15V. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Toleranz: 6 %. Zenerspannung: 15V

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Durchbruchspannung: 150V. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 150V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. VRRM: 180V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: 6%, Vz.min 188 - Vz.max 212V. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. VRRM: 200V

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Durchbruchspannung: 22V. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass )

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 Glass. Zenerspannung: 24V. Verschiedenes: Transildiode

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. VRRM: 36V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. VRRM: 39V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. VRRM: 43V

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Durchbruchspannung: 47V. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 Glass. Zenerspannung: 47V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Hinweis: SOD57 Glass. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. VRRM: 7.5V

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 Glass. Zenerspannung: 8.2V