Ãœberspannungsschutzdioden

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 11.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 11.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 128V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 143V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Gehäuse: DO-15. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Hinweis: 600W / 1ms, VRM 12.8V. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 13V. Temperatur: +175°C. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 13.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 13.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 13.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 13.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode. IFSM: 100A. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Spec info: 0.6kW (VWM 15.3V). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Varistorspannung: 15V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 154V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 171V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 180V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 189V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 154V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Hinweis: 600W / 1ms, VRM 15.3V. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 15V. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 17.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 17.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode. Durchbruchspannung: min 22.8V, nom 24V, max 25.2V (1mA), clamping 33.2V (18A). RoHS: ja. Spec info: 600W / 1ms, VRM 20.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 600W. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

RoHS: ja. Gehäuse: DO-15. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Durchbruchspannung: min 22.8V, nom 24V, max 26.4V (1mA), clamping 33.2V (18A). Spec info: 600W / 1ms, VRM 20.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 213V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 237V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 250V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 263V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 213V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 213V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 237V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 250V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 263V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 213V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 239V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 266V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 280V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 294V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 239V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 239V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 266V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 280V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 294V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 239V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 23.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 27V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 23.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 256V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 285V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 300V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 315V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 256V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 25.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Durchbruchspannung: 25.6V 1uA, 28.5V 1mA, clamping 41.5V 14.5A, 53.5V 75A. RoHS: ja. Spec info: 600W / 1ms, VRM 25.6V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -60...+175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 273V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 304V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 320V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 336V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 273V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: DO-15. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C