Gehäuse: DO-15. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Durchbruchspannung: 25.6V 1uA, 28.5V 1mA, clamping 41.5V 14.5A, 53.5V 75A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -60...+175°C. Spec info: 600W / 1ms, VRM 25.6V