Ãœberspannungsschutzdioden

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 7.78V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.65V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.55V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 7.78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 85.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 100V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 105V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 85.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 85.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 100V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 105V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 85.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.55V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.55V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.55V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.55V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9.4V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 9.4V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transildiode zum ESD-Schutz (300 W bei 1 ms), doppelt. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 300W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14,2 V bei 1 mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA bei 15,8V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transildiode zum ESD-Schutz (300 W bei 1 ms), doppelt. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2uA @ 3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 300W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transildiode zum ESD-Schutz (300 W bei 1 ms), doppelt. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.25V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 20uA @ 5.25V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 300W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Quad-Transil-Diode (150 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-323/5. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.25V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.2V @ 1mA. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 150W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transildiode zum ESD-Schutz (230 W bei 8/20 usek.), doppelt. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 27V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 32V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 0.1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 230W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Cj: 2.5pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz. IFSM: 25A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code L05. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L06 (RoHS). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5V. Hinweis: ESD 8kV Kontaktentladung. Hinweis: ESD 15kV Luftentladung. Spec info: Ppk--300W t=8us, IFSM--25Ap t=8us

RoHS: ja. Teilung: 3.2x6.3mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Menge pro Karton: 1. Hinweis: SIDAC 215V 1A, Zenerdiode

Hinweis: DO-34. Hinweis: Silicon epitaxial planar type variable resistor

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VDRM: 180V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: USB-Leitungsschutzentstörer (500 W bei 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: UDFN2. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 0.1uA @ 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: USB-Leitungsschutzentstörer (500 W bei 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-88. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 500W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 22V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 24.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 27.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 22V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 22V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 24.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 27.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 22V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C