Überspannungsschutzdioden

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 13V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms)

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 150V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 128V. Gehäuse: DO-15. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 143V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Gehäuse: DO-15. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 16V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO15 (3.5x6.5mm). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: bidirektional. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 154V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 171V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 180V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 189V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 154V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 154V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 171V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 180V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 189V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 154V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 18V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-15. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. RoHS: ja. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm )

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 200V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 210V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: 20V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 220V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms)

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 220V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms)

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Durchbruchspannung: 22V. Dielektrische Struktur: bidirektional. Gehäuse: DO-15. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Verschiedenes: Transildiode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. IFSM: 100A

Durchbruchspannung: 24V. Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-15. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Verschiedenes: Transildiode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. IFSM: 100A

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 27V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Verschiedenes: Transildiode

Spannung: 360V. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 225...275V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Varistorspannung: 250V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms)

Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 250V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Verschiedenes: Transildiode

Durchbruchspannung: 27V. Gehäuse: DO-15. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Verschiedenes: Transildiode. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. IFSM: 100A. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 27V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Verschiedenes: Transildiode