Überspannungsschutzdioden

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 25.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Gehäuse: DO-15. Durchbruchspannung: 30 v. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 36V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: PCB-Löten

Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 39V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41 (3.5x6.5mm). Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Durchbruchspannung: 39V. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Suppressor (330 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 342V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 380V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 400V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 420V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 0.5uA @ 342V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

IFSM: 100A. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Verschiedenes: Transildiode. Hinweis: Transildiode

Dielektrische Struktur: bidirektional. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41 (3.5x6.5). Varistorspannung: 440V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz

Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: DO41 3.5x6.5. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Hinweis: DO41 3.5x6.5. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-15. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Toleranz: 5%. Menge pro Karton: 1. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode. Anzahl der Terminals: 2

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.17V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Hinweis: DO41 3.5x6.5. Hinweis: Suppressor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 3.5x6.5 ). Varistorspannung: 6.8V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: bidirektional. Hinweis: Suppressor. Menge pro Karton: 1. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Suppressor (330 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.17V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: DO41 3.5x6.5. Hinweis: Suppressor. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: Transildiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Unidirektionaler ESD-Schutz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KPJ. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 10V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KPJ. Hinweis: Transildiode