Überspannungsschutzdioden

Menge pro Karton: 1. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: bidirektional. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 3.5x6.5 ). Varistorspannung: 6.8V

Durchbruchspannung: 62V. Leistung: 600W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 53V. Gehäuse: DO-15

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Suppressor (330 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.17V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Durchbruchspannung: 7.5V. Leistung: 600W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6.4V. Gehäuse: DO-15

Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Hinweis: DO41 3.5x6.5. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41

Durchbruchspannung: 91V. Leistung: 600W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 77.8V. Gehäuse: DO-15

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Unidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KPJ. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KPJ. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 10V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Unidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KTJ. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KTJ. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: @URM 10.2V UBR 11.4V UCL 16.7V @Ipp 37A PPPM 600W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 13.6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 13.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: bidirektional. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 15.3V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Unidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code LMJ. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LMJ. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 24V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: bidirektional. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Transildiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 24V. Pd (Verlustleistung, max): 5W (Pppm 600W). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 )

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: bidirektional. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 6.8V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Unidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 68V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: bidirektional. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Hinweis: Transildiode. Hinweis: Suppressor. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 68V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 16V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 16V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 16V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 16V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C