Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-523. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/6. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Hinweis: DO-15 (7.6x3.5mm). Hinweis: Transientenunterdrücker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (300 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 300W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Leitungsschutzentstörer (400 W bei 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Leitungsschutzentstörer (500 W bei 8/20 us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 500W @ 8/20us. Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-216AA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 3.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 500uA @ 3.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20.5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 24V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 20.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 25.6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 25.6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 30.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Suppressor (330 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 30.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 102A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO218AB 13.5x10mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM 700Ap/8.3ms 6600W, T=10/1000us

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 400W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C