Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30 v. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30 v. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 33CA. Durchbruchspannung: 33V. Pd (Verlustleistung, max): 5W (Pppm 600W). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.1 ). Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Transildiode

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 59.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 59.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.8V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.8V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6.5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 500uA @ 6.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6.5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 500uA @ 6.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 96.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.2V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200W @ 8/20us. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (200 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.5V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30.5 V @ 10 mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 35.5V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 24V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30.3V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10nA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 230W @ 8/20us. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (230 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (160 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 0.02..1uA @ 30V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 160W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Transientenunterdrückertyp: unidirektional, dual. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.2V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.6V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2uA @ 3.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 330W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 5.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 5mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1nA @ 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 5mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5..100nA @ 5V. Komponentenfamilie: bidirektionaler Entstörer (330 W bei 8/20 µs). Transientenunterdrückertyp: bidirektional, dual. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer zum Schutz von TTL-Schaltkreisen (600 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-523. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50nA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 180W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 1uA. Durchbruchspannung: 160V. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x6.7mm ). Schwellenspannung Vf (max): 18V. Durchlassspannung Vf (min): 12V. VRRM: 700V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: USB-Leitungsschutzunterdrücker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP6. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C