Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Zenerspannung: 3.6V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 2.9x1.3x1mm. RoHS: ja. Teilung: 1.9mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 4.7V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 5.6V

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y61. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 6.8V

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SI-Z SMD. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.55W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 1W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Zenerspannung: 100V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Zenerspannung: 12V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Zenerspannung: 13V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 15V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 18V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 22V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 24V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 27V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Zenerspannung: 30V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W