Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 12V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Produktionsdatum: 2014/50. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 13V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 18V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 22V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD-Z. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 24V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2015/05. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 2.4V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 2.7V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 30 v. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Zenerspannung: 36V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Abmessungen: 3.4x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: SI-Z SMD

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 4uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.3V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 2uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.6V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2012/48. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 2uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.9V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 3.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Hinweis: SOD-80. Hinweis: SI-Z SMD

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 4.3V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 4.7V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2014/45. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 0.5uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 5.6V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 6.8V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Produktionsdatum: 2014/44. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 7.5V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80. Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 3.4x1.6mm. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 3W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C