Zenerdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Zenerspannung: 27V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1. Betriebstemperatur: +65°C...+150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD ZENER 27V. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 27V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 2.7V. Zenerspannung: 2.7V. Anzahl der Terminals: 3

Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 3.3V. Anzahl der Terminals: 3

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.3x1mm. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Teilung: 1.9mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.6V. Anzahl der Terminals: 3

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.7V. Anzahl der Terminals: 3

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Toleranz: 5%. VRRM: 5.6V. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y61. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 6.8V. Zenerspannung: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 9.1V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: SI-Z SMD

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 1W. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.55W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 10V. Leistung: 1.3W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 100V. Leistung: 1.3W. Gehäuse: DO-41

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 12V. Leistung: 1.3W. Gehäuse: DO-41

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %