Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 51V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 5.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 0.1uA. Äquivalente: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 62V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 6.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 0.1uA. Äquivalente: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 62V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 10V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SI-Z SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z9. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Zenerspannung: 11V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: ja. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 12V. Cj: 130pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y2. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Zenerspannung: 15V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4*. Äquivalente: BZX84-C15.215. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 18V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y6. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 350 mW (0,35 W) Zenerdiode Surface Mounted Component (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Hinweis: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: +65°C...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD ZENER 27V. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 2.7V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 2.7V

Serie: BZX84C. Zenerspannung vz: 3.3V. Zener Current IZ: 97mA. Leistung: 0.25W. Montageart: SMD. Rückspannung/Leckstrom: 1V / 5uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 350 Ohms

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C