Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 62V. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 3

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 10V. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z9. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Hinweis: SI-Z SMD

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Zenerspannung: 11V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 12V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Zenerspannung: 15V. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4*. Äquivalente: BZX84-C15.215. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 18V. Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y6. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 350 mW (0,35 W) Zenerdiode Surface Mounted Component (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Zenerspannung: 27V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1. Betriebstemperatur: +65°C...+150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 27V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD ZENER 27V. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 2.7V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 2.7V. Anzahl der Terminals: 3

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 3.3V. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Zenerspannung: 3.6V. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.3x1mm. RoHS: ja. Teilung: 1.9mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 3

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 4.7V. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 3

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Halbleitermaterial: Silizium. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Hinweis: SOT-23. Hinweis: SI-Z SMD. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Zenerspannung: 5.6V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 5.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1