Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 75V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 82V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: NXP. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 18.9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 12V. Zener Current IZ: 3000mA. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 8.4V / 0.2uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 10 Ohms. Serie: BZX85C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 15V. Zener Current IZ: 2500mA. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 10.5V / 0.05uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 15 Ohms. Serie: BZX85C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 27V. Zener Current IZ: 1200mA. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 19V / 0.05uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 40 Ohms. Serie: BZX85C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 5.1V. Zener Current IZ: 200mA. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Toleranz: 5%. Impedanz: 10 Ohms. Serie: BZX85C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 5.6V. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 2V / 2uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 7 Ohms. Serie: BZX85C

Gehäuse: DO41. Zenerspannung vz: 9.1V. Zener Current IZ: 4000mA. Leistung: 1.3W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 6.5V / 0.7uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 5 Ohms. Serie: BZX85C

Zenerspannung: 27V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W. Toleranz: ±2%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Zenerspannung: 12V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Gehäuse: DO35. Leistung: 0.5W. Montageart: THT. Rückspannung/Leckstrom: 10V / 0.1uA. Toleranz: 5%. Impedanz: 9 Ohms. Serie: BZX55C. Zenerspannung vz: 13V. Zener Current IZ: 35mA

Zenerspannung: 15V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 15V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 16V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 16V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 16V

Zenerspannung: 18V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 24V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Zenerspannung: 27V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 27V