Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 5.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 62V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 68V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x6.2mm. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 6.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 75V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Zenerspannung: 82V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: BZX85C82, ZPY82. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x5.1mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 8.2V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: NXP. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 18.9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 13V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 16V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 16V

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 27V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 27V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 39V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 39V

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 39V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 39V

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 4.7V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 68V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. VRRM: 68V

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 8.2V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 2. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Zenerspannung: 11V. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5241B, BZX55C11, ZPD11

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 12V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 13V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%