Zenerdioden

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 20V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 33V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.3V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 87mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 18.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 19 Ohms @ 15mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. Zenerspannung: 16V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C15G, BZG03C15TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C24G, BZG03C24TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 24V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 19V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Zenerspannung: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1. Betriebstemperatur: +65°C...+150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.4V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 120uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 130 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 350 mW (0,35 W) Zenerdiode Surface Mounted Component (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-523. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 75 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 15V. Zenerspannung: 15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Zenerspannung: 16V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 13V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 50 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.4V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 50uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 20V. Zenerspannung: 20V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 18V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C