Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 91.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 170 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 130V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Zenerspannung: 140V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen der Anschlüsse: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 160V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 180V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Zenerspannung: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. MRT (maximal): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 87mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 18.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 19 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. Zenerspannung: 16V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Zenerspannung: 15V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C15G, BZG03C15TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Zenerspannung: 24V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: BZG03C24G, BZG03C24TR. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 19V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Zenerspannung: 2V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1. Betriebstemperatur: +65°C...+150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.4V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 120uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 130 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 130 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 1.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 130 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 3.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 50 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123F. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-523. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 350 mW (0,35 W) Zenerdiode Surface Mounted Component (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0,05 uA bei 10,5 V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 1mA

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 75 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C