Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

1N5383B

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1N5383B. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 150V. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 150V. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 150V. Dielektrisches Material: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%
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