Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUT11AX-PHI

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BUT11AX-PHI. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Tf 170ns. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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