Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N5956B

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1N5956B. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Zenerspannung: 200V. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. MRT (maximal): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VRRM: 200V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 20:25.

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