Zenerdioden

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.3V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.6V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 3.9V

Zenerspannung: 43V. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 47V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 4.3V

Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 51V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 0.1uA. Äquivalente: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Zenerspannung: 5.1V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 5.6V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 62V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 0.1uA. Äquivalente: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Zenerspannung: 6.2V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 6.8V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 7.5V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 8.2V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Äquivalente: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Zenerspannung: 9.1V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 62V. Anzahl der Terminals: 3

Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z9. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Zenerspannung: 10V. Hinweis: SI-Z SMD

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Zenerspannung: 11V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 12V. Zenerspannung: 12V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4*. Äquivalente: BZX84-C15.215. Abmessungen: 2.9x1.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Toleranz: 5%. Zenerspannung: 15V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000

Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y6. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V. Zenerspannung: 18V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 350 mW (0,35 W) Zenerdiode Surface Mounted Component (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C