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Halbleiter Transistoren

2N6284

2N6284

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2N6284. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Gewicht: 11.8g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6287. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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