Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284
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NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V - 2N6284. NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6287. Gewicht: 11.8g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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