Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD679A

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BD679A. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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