Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2671. C(in): 1140pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): na. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): na. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

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C(in): 1200pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2717. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja
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