Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD902

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BD902. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Hinweis: >750. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD901. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funktion: Schalten, Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP102. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funktion: Schalten, Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP102. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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