Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FCP11N60

FCP11N60
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FCP11N60. C(in): 1148pF. Kosten): 671pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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C(in): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS
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