Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z

N-Kanal-Transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z
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N-Kanal-Transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z. N-Kanal-Transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.9m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3450pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 440A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

Technische Dokumentation

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