Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRF634

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRF634
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N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRF634. N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 01:25.

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