Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IXFK44N50

IXFK44N50
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IXFK44N50. C(in): 8400pF. Kosten): 900pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 400uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.

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IXFK48N50

IXFK48N50

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration...
IXFK48N50
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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