Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MD2001FX. Kosten): 4pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.

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