Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196

NPN-Transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196
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NPN-Transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196. NPN-Transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21195. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 04:25.

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NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21195. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V
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