NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 4A, 400V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: TO-220. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Schalten für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 13.5. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Kommutierung für Schaltnetzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 7A, 450V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 14. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUL45D2G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V

NPN-Transistor, 4A, 500V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: High-Speed. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 4A, 350V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV20. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 125V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 190V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V