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NPN-Transistor, 0.5A, 30 v - MPSA13

NPN-Transistor, 0.5A, 30 v - MPSA13
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NPN-Transistor, 0.5A, 30 v - MPSA13. NPN-Transistor, 0.5A, 30 v. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(min): 125 MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.

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