Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530

P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530
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P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530. P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 860pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.

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P-Kanal-Transistor, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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