PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5B. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5B1. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 125. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Kollektorstrom: 100mA. Äquivalente: ON Semiconductor BC856BLT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3B

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-323. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 125. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3E. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: °C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kollektorstrom: 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3F. Anzahl der Terminals: 3

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3F. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP6. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dualer PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: 3Ft. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, SOT23, 30V. Gehäuse: SOT23. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: PNP. Leistung: 0.25W. Collector-Base-Spannung VCBO: 30V. Montageart: SMD. Bandbreite MHz: 100MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 220. Strom max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3L. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3G/4C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 4C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4g. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -68...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V