PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC546C

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo-Pak ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 110. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 100mA, TO-92, 50V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC557B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547B

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC557B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 320 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, -50V, -0.2A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -50V. Kollektorstrom: -0.2A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 0.5W

NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): 10pF. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC557B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC557C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 320 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Funktion: Umschaltung und NF-Verstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C559A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 200...450. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC550B

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 380. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC550C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: PNP-Transistor. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): TO-226AA. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC550C

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. C(in): 110pF. Kosten): 9pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Produktionsdatum: 1997.04. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC639. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC640-16. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. C(in): 110pF. Kosten): 9pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC639-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC640. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5B. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5B

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5B1. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor