PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718

NPN-Transistor, 7A, 170V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 170V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MINI MOLD. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Kosten): 2.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AQ. RoHS: NINCS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD601. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 35V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 60V/50V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

NPN-Transistor, 3A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD882

NPN-Transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1047. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1133

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PNP-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1207

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 45V/40V, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A743. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ersatz

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorstrom: 20mA. Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 13V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. FT: 1250 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 32V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: B891F. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 180pF. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): +175°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC141. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, 45V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC212BG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 280 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. CE-Diode: ja