PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2394

NPN-Transistor, 12A, 150V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2401

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2438

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2439

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( SOT-93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 6A, 110V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Hinweis: >5000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2495

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Funktion: HI-FI-Audio-Leistungsverstärker und -Regler. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2560

NPN-Transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): MT-25 (TO220). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Kosten): 100pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: PNP. VCBO: 110V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2589. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-1, 30 v, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.125W

NPN-Transistor, 0.15A, 25V. Kollektorstrom: 0.15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. Hinweis: >30. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 35V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, 1.5A, 35V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M17/J, 90V/80V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M17/J. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V/80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M17/J, 40V/20V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M17/J. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20V/15V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 25V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD468

NPN-Transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SC-71. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 30V/25V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 27pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS