Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Kollektorstrom: 0.5A. Äquivalente: KSE340. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 ( TO-225 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektorstrom: -0.5A. Leistung: 20.8W. Gehäuse: TO-126. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(in): 7pF. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.5A. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Herstellerkennzeichnung: MJE350G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektorstrom: -0.5A. Leistung: 20W. Max Frequenz: 10MHz. Gehäuse: TO-126. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

BE-Widerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 2us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 100W. Gehäuse: TO-220

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: PNP. VCBO: 450V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE5852G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 40W. Max Frequenz: 1MHz. Gehäuse: TO-126

Kosten): 1000pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 1000pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE800G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE803. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 5A. Leistung: 35W. Max Frequenz: 13MHz. Gehäuse: TO-220-F

Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 1200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Kosten): 1.7pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: hFE 45(min). Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 260V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL3281A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.3pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO–3PBL. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21194. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS