Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V

Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15025. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15024G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Kosten): 280pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15024. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15025G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -16A. Leistung: 250W. Max Frequenz: 4 MHz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ21193G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ21194G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Transistortyp: PNP. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Schalt- und Verstärkeranwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N3055. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ2955G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 115W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Kollektorstrom: 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ802G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Leistung: 20W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: I-PAK

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J44H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 85 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J44H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 85 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 85 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 44H11G. Äquivalente: MJD44H11G, MJD44H11J. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf (Typ): 140 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DPAK CASE 369C. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJD45H11T4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J45H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 90 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 85 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45H11G. Äquivalente: MJD45H11G, MJD45H11J. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf (Typ): 140 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DPAK CASE 369C. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJD45H11T4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS