Transistoren

Herstellerkennzeichnung: MJE13007G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 80W. Max Frequenz: 14 MHz. Gehäuse: TO-220AB. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE13009G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 150V. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031G

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -150V. C(in): -8A. Kosten): 50W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 250V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Gehäuse: TO-220

Gehäuse: TO-220. Herstellerkennzeichnung: MJE15032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 30 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 250V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15033

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -8A. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Gehäuse: TO-220

RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220. Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15032. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15035G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE18004G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1750pF. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 34. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 120W. Gehäuse: TO-220

Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE210. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE200. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kollektorstrom: 4A. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 4A. Kosten): 15W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40 MHz. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -70V. C(in): -10A. Kosten): 90W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE2955TG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE3055T. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T