Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1476

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

C(in): 4pF. Kosten): 10pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 550V. Menge pro Karton: 1

Widerstand B: 22. BE-Widerstand: 22. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 260 MHz. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126LP. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: hFE 800. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 10. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-ZF-E. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1

Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): MF20 TO220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Treiber für Magnetspule und Motor. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3856. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1492

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3886A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Funktion: TV/IF. Kollektorstrom: 0.02A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA hi-def.. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Hochspannungstreiberanwendungen. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Spec info: hFE 100...200

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Funktion: S-L. Spec info: 500/2200ns

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF. Kollektorstrom: 0.065A. Leistung: 200mW. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Vebo: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 9000MHZ. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 2SD4106M

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C4107. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 14A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)