Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Menge pro Karton: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dualer NPN-Bipolartransistor. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMV-5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 80 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: (F). Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: Schaltender Leistungstransistor. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: HFX-Serie

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1633. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VHF-Breitbandverstärker. Kollektorstrom: 0.3A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Kosten): 35pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochspannungs-NPN-Transistor für Audio- und Allzweckanwendungen.. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1668. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1671

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1672

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1673

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1695

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1695

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Technologie: NPN-Dreifach-Diffusions-Planartransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6 MHz. Funktion: Hochspannungsschalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 550V. Vebo: 7V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Kosten): 14pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12.9k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Gehäuse: SC-71. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-71. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1770. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10mA. Hinweis: Ic 10mA/30mApp. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Funktion: dynamischer Fokus, Hochspannungsschaltung. Spec info: TO-220FI (Forming)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10mA. Hinweis: Ic 10mA/30mApp. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Transistortyp: NPN. VCBO: 2000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1800V. Funktion: dynamischer Fokus. Spec info: TO-220FI

Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DK. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DK. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1797. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus-Anwendungen. Kollektorstrom: 50mA. Hinweis: Hochspannungsschaltanwendungen. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Hinweis: (F). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1803