Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 250 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1360

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Funktion: hFE 15...30. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Funktion: hFE 20...40. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Kosten): 1.7pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 9mm Höhe. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Kosten): 2.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3503-D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1381. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker. Technologie: NPN-Epitaxial-Planartransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): TO3P-3L. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1386A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Maximaler hFE-Gewinn: 3200. Minimaler hFE-Gewinn: 800. Kollektorstrom: 700mA. Ic(Impuls): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-43B, TO92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.14V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 15V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/800V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Niederfrequenzantriebsanwendungen. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Hinweis: hFE 140...280. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1480

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/18V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Funktion: S-L. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/16V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W