Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Höhe 5mm

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2500. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 17A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Funktion: hFE 100...200. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 19pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 1.2A. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2690A Y. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1220A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 1.8pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 9mm. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1145. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DG. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1163. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-103. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Zum Stummschalten und Schalten. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 300mA. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 130 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.042V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.14A. Ic(Impuls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1209. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: für Schaltanwendungen. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V