Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: MONITOR. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V

Menge pro Karton: 1. Kompatibilität: CVM4967A. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 16A. Äquivalente: SAMSUNG 891 464744AA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffus“. Tf(max): 0.4us. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: VGA-Monitor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf (Typ): 0.1us. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3PML. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1837. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V

Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Display-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Kollektorstrom: 7A. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vce(sat) 3V. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Hinweis: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5103. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Funktion: Motortreiber, LED-Treiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1952

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Funktion: HA, Hi-res. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F2A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: schnelle Bedienung, für horizontale Ablenkung (TV). Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5149. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: „Triple Diffused MESA Type“. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1940

Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5198 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1941. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 230V. Kollektorstrom: 15A. Max Frequenz: 30MHz. Leistung: 150W. Gehäuse: TO-264