Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 21A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Hinweis: Vce(sat) 3Vmax

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Kollektorstrom: 20A. Hinweis: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 22A. Ic(Impuls): 44A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 5V

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Maximaler hFE-Gewinn: 55. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 46A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 210W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 5V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kosten): 85pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 195 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C6082. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 23W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3SG. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Relaistreiber, Lampentreiber, Motortreiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2210. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 600 MHz. Kollektorstrom: 0.03A. Pd (Verlustleistung, max): 0.12W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: A21/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/12V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/12V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.68W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 232. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. CE-Diode: ja

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC829. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W