Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M46/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): NPN. Betriebstemperaturbereich max (°C): 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: NPN

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: NPN. Betriebstemperaturbereich min (°C): 600V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M37/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Spec info: isoliert

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 3.5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 17A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/SL. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: hFE 100...200. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123S. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DF. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: hFE 200...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF, Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DG

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 4000. Minimaler hFE-Gewinn: 3000. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DI. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO PCP. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DI, Komplementärtransistor (Paar) 2SB1126. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: hFE 3000...4000. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: Hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Spannungsregelung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DJ