Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3A. Betriebstemperaturbereich min (°C): 30W. Betriebstemperaturbereich max (°C): Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA. Kollektorstrom: 3.5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorstrom: 3A. Hinweis: >500. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 0.3A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50MHz. Funktion: Leistungsverstärkung mit hohem Vorwärtsstrom. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 2.37k Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( MT-100 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1560. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DT. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1561

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2394. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V

Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1588. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1588. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 6A. Hinweis: >5000. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1625

BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA Hi-r. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Hinweis: Vce(sat)=5V

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 3A. Leistung: 1.5W. Max Frequenz: 50 MHz. Gehäuse: MT-3-A1

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 12000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2589. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 110V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1659

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 7A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 22W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V