Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.7A. Hinweis: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD551. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB631K. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB647

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB682

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB688. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 6A. Hinweis: B=1000. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB764. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD871. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V