Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D882. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB772. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.02A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: NF

Kosten): 50pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: NF-Ausgangsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 340. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J119. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1050pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

C(in): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. G-S-Schutz: ja

C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. G-S-Schutz: ja

C(in): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: integrierte Schutzdiode. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Technologie: P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: ja

C(in): 120pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) 2SK216. ID (T=25°C): 500mA. IDSS (max): 500mA. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. ID (T=25°C): 20mA. IDSS: 2.5mA. IDSS (max): 2.5mA. IDss (min): 2.5mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: HF-Verstärkung

C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S-Schutz: NINCS

Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(in): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Spec info: DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendung. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. Spannung Vds(max): 60V

C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1400pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K1246. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1800pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschalten. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-3PN 13-16A1A. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 1400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Spec info: Logic Level kompatibel